| 两步刻蚀法去除GaN-LED刻蚀中引入的损伤 |
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| 引用本文： | 宋颖娉,郭霞,艾伟伟,周跃平,沈光地.两步刻蚀法去除GaN-LED刻蚀中引入的损伤[J].半导体学报,2006,27(9):1635-1639. |
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| 作者姓名： | 宋颖娉 郭霞 艾伟伟 周跃平 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学光电子技术实验室，北京 100022;北京工业大学光电子技术实验室，北京 100022;北京工业大学光电子技术实验室，北京 100022;北京工业大学光电子技术实验室，北京 100022;北京工业大学光电子技术实验室，北京 100022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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北京市教委科研项目
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北京市科技新星计划项目
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北京市跨世纪优秀人才培养计划 |
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| 摘 要： | 通过实验方法找出了去损伤刻蚀的最佳工艺参数,并研究了利用ICP两步刻蚀法去除刻蚀损伤的实验过程及结果.从实验结果可以看出,当ICP功率为750W时,刻蚀引入的损伤最小,刻蚀引起的损伤层厚度最大为25nm.去损伤刻蚀法能有效去除损伤,使采用两步刻蚀法的发光二极管的正向导通电压与反向漏电流均下降,发光亮度增大,非辐射复合比例减小,器件的发光效率和可靠性均得到了提高.
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| 关 键 词： | 两步刻蚀法 GaN-LED 刻蚀损伤 PL特性 Ⅰ-Ⅴ特性 刻蚀法 刻蚀损伤 Etching Technology Removal 发光效率 器件 比例 非辐射复合 发光亮度 反向漏电流 导通电压 发光二极管 层厚度 最小 功率 实验过程 结果 利用 研究 工艺参数 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)09-1635-05 |
| 收稿时间： | 1/13/2006 3:34:37 PM |
| 修稿时间： | 2/27/2006 3:30:43 PM |
Damage Removal in GaN-LEDs by Two-Step Etching Technology |
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| Song Yingping,Guo Xi,Ai Weiwei,Zhou Yueping and Shen Guangdi.Damage Removal in GaN-LEDs by Two-Step Etching Technology[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(9):1635-1639. |
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| Authors: | Song Yingping Guo Xi Ai Weiwei Zhou Yueping and Shen Guangdi |
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| Affiliation: | Beijing Optoelectronic Laboratory,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;Beijing Optoelectronic Laboratory,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;Beijing Optoelectronic Laboratory,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;Beijing Optoelectronic Laboratory,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;Beijing Optoelectronic Laboratory,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China |
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| Abstract: | A two-step etching technology is used and the optimized etching parameter is found by experiment to remove etching damage in GaN-LEDs.The PL intensity of the sample etched by ICP with a power of 750W is decreased a little.The thickness of the etch damage layer is less than 25nm.The forward turn-on voltage and reverse leakage current of the LED that was etched by the two-step etching technology are reduced noticeably.The EL intensity is increased,indicating that the leakage current and the rate of nonradiative recombination both decreased.The optical efficiency and device reliability are also improved. |
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| Keywords: | two-step etching GaN-LED etch damage PL I-V |
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