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| Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响 | |
| 作者姓名： | 蒋玉龙 茹国平 屈新萍 李炳宗 |
| 作者单位： | 复旦大学微电子学系,上海 200433;复旦大学微电子学系,上海 200433;复旦大学微电子学系,上海 200433;复旦大学微电子学系,上海 200433 |
| 摘 要： | 在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区喇曼散射法和俄歇深度分布测试法研究了Ti中间层对Ni硅化反应的影响. 实验结果证明Ti中间层抑制了集成电路生产最需要的NiSi相的形成. |
| 关 键 词： | 硅化物 NiSi 固相反应 |