| 高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法 |
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| 作者姓名： | 杜伟 许兴胜 韩伟华 王春霞 张杨 杨富华 陈弘达 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点联合实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点联合实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体集成技术工程研究中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点联合实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体集成技术工程研究中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体集成技术工程研究中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点联合实验室,北京 100083 |
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| 摘 要： | 结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形.
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| 关 键 词： | 光子晶体 电子束曝光 PMMA掩膜 质量 光子 晶体结构 刻蚀 掩膜版 制作方法 Structures Photonic Crystal Mask Etching High Quality 合理优化 影响 参数 时间 曝光剂量 厚度 结果 图形 条件变化 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)09-1640-05 |
| 收稿时间： | 2006-03-08 |
| 修稿时间： | 2006-03-20 |
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