| 抛光液中磨料和化学成分对单晶MgO基片化学机械抛光的影响 |
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| 引用本文： | 王科,康仁科,王军.抛光液中磨料和化学成分对单晶MgO基片化学机械抛光的影响[J].金刚石与磨料磨具工程,2009(6). |
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| 作者姓名： | 王科 康仁科 王军 |
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| 作者单位： | 1. 大连理工大学,精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024
2. School of Mechanical and Manufacturing Engineering, University of New South Wales,Sydney NSW 2052, Australia |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，教育部科技研究重点项目，辽宁省科学技术计划项目 |
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| 摘 要： | 采用扫描电子显微镜和高分辨粒径分析仪对不同抛光液中磨料形貌、平均粒径大小和粒径分布范围进行观测分析,研究了SiO2磨料特性及各种无机酸对单晶MgO基片抛光材料去除率和表面粗糙度的影响.试验结果表明,使用粒径分布较窄的球形磨料和磷酸反应剂配制成抛光液,可以得到较高的材料去除率和较低的基片表面粗糙度.通过对抛光参数的进一步优化,采用抛光压力42 kPa,抛光转数100 r/min和抛光液流量30 mL/min,对单晶MgO基片进行化学机械抛光加工,单晶MgO基片抛光材料去除率可达到400 nm/min,抛光后的基片表面粗糙度Ra降低至0.4 nm.该抛光工艺已具有一定的实用价值.
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| 关 键 词： | 单晶MgO基片 化学机械抛光 材料去除率 |
Influence of abrasive and chemical composition on chemo-mechanical polishing of MgO single crystal substrate |
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