矩形晶格结构对二维压电声子晶体带隙的影响 |
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作者姓名: | 袁策 李红浪 田亚会 柯亚兵 陈淑芬 |
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作者单位: | (1.中国科学院 声学研究所,北京 100190;2.北京理工大学 光电学院,北京 100081) |
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基金项目: | 国家自然基金资助项目(11174318,11304346) |
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摘 要: | 通过计算二维压电声子晶体透射系数,研究了矩形晶格结构对声子晶体带隙的影响。为得到声子晶体的透射系数,构建叉指换能器(IDT)中间放置声子晶体的器件模型,IDT作为激发和接收端,声子晶体作为传输通道。通过有限元软件计算出模型的电学参数,分别结合IDT的混合矩阵(P矩阵)和声子晶体的散射矩阵,推导和计算出声表面波的透射系数,并找出带隙范围。该文在128°-YX铌酸锂基片上制作IDT和矩形晶格以圆孔为散射体的声子晶体。通过调整矩形晶格中y方向上晶格常数,理论和实验上均得到了2个方向上的带隙变化。结果表明,随着y方向上晶格常数的增大,x方向上的带隙逐渐分为两段,y方向上的带隙逐渐缩小,使y方向上的带隙夹在x方向两段带隙间。实验结果与计算结果较吻合。
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关 键 词: | 压电 声子晶体 晶格结构 带隙 有限元法 滤波器 |
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