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| 高Al组分In1-xAlx Sb/InSb的MBE生长研究 | |
| 作者姓名： | 尚林涛 刘铭 周朋 邢伟荣 沈宝玉 |
| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京 100015 |
| 摘 要： | 高Al(10%~15%)组分的In1-xAlx Sb层可作为势垒层以抑制隧穿暗电流、提高器件工作温度而显得很重要。采用分子束外延的方法对InSb(100)衬底高Al组分的In1-xAlx Sb/InSb外延生长进行了实验探索,确定出了Al组分(约12.5%)并讨论了Al组分梯度递变的In1-xAlx Sb缓冲层和生长温度对外延薄膜质量的影响。 |
| 关 键 词： | InSb(100) 高铝 InAlSb 薄膜生长 |
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