| 高能电子辐照导致氢化非晶硅的微晶化 |
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| 引用本文： | 钟雨乐,黄君凯,刘伟平,李京娜.高能电子辐照导致氢化非晶硅的微晶化[J].辐射研究与辐射工艺学报,2001,19(2):144-147. |
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| 作者姓名： | 钟雨乐 黄君凯 刘伟平 李京娜 |
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| 作者单位： | 1. 暨南大学电子工程系,
2. 烟台师范学院物理系, |
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| 基金项目： | 国务院侨办重点学科科学基金项目 (0 2 0 930 )资助 |
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| 摘 要： | 氢化非晶硅 (a -Si:H)是无序硅网络中嵌入一定量H原子的非晶态硅—氢合金膜 ,结构上存在许多不稳定的弱Si-Si键及各种畸变键 ,在光、电老化过程中 ,它们会断裂或变形 ,导致缺陷态的增加 ,使材料性能变坏。a -Si:H微晶化后 ,这些缺点将得到有效的克服。结果发现 ,用 0 .3- 0 .5MeV、注入束流密度 1.3× 10 19cm- 2 s- 1的高能电子辐照 10 - 6 0 0s,a -Si:H膜会出现微晶化现象 ,晶粒大小为 10 - 2 0nm ,晶化层厚度为 2 5- 2 50nm
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| 关 键 词： | 高能电子辐照 微晶化 氢化非晶硅 |
| 修稿时间： | 2000年6月22日 |
IRRADIATION OF ELECTRON WITH HIGH ENERGY INDUCED MICROCRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS SILICON |
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| ZHONG Yule,HUANG Junkai,LIU Weiping.IRRADIATION OF ELECTRON WITH HIGH ENERGY INDUCED MICROCRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS SILICON[J].Journal of Radiation Research and Radiation Processing,2001,19(2):144-147. |
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| Authors: | ZHONG Yule HUANG Junkai LIU Weiping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Irradiation of electron with high energy Amorphous silicon Microcrystallization |
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