非晶态硅的TED和TEM的研究

一、引言近年来,非晶态物质的制备和物性研究已受到广泛的重视,大量的研究结果表明,非晶态物质具有许多优异的特性。已经在非晶态半导体、非晶态磁性材料、非晶态超导体、非晶态金属合金等材料中取得了令人注目的进展。在前一工作的基础上,我们利用高分辨率透射电子显微镜(TEM)对非晶态硅(a—Si:H,a—Si:Cl)薄膜样品进行研究,观测到薄膜样品中的原子团(atom cluster)和微结构,并探讨了其生长机理。二、实验我们采用射频辉光放电(RFGD)方法,使SiH_4(或SiCl_4)气体在射频场作用下离解,产生等离子体,通过