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| 生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响 | |
| 作者姓名： | 卢洋藩 叶志镇 曾昱嘉 徐伟中 朱丽萍 赵炳辉 |
| 作者单位： | 卢洋藩（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;叶志镇（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;曾昱嘉（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;徐伟中（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;朱丽萍（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;赵炳辉（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027） |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家自然科学基金 , 浙江省自然科学基金 |
| 摘 要： | 研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响. |
| 关 键 词： | ZnO p型掺杂 金属有机化学气相沉积 射频等离子体 生长参数 MOCVD 法制 薄膜性能 影响 ZnO Films Growth Parameters 电学性能 结晶质量 流量 锌源 射频功率 衬底温度 膜过程 掺杂 有机化学气相沉积 金属 等离子体 研究 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0275-04 |
| 修稿时间： | 2006-12-12 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |