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IGCT功能仿真模型及其应用
引用本文:千金,刘文华,范子超,宋强. IGCT功能仿真模型及其应用[J]. 电力电子技术, 2006, 40(6): 126-130
作者姓名:千金  刘文华  范子超  宋强
作者单位:清华大学,北京,100084;清华大学,北京,100084;清华大学,北京,100084;清华大学,北京,100084
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:集成门极换流晶闸管(IntegratedGateCommutatedThyristors,简称IGCT)以其优越的性能,在中、高压大功率变换器领域得到越来越广泛的应用。本文在SIMPLORER仿真平台下建立了IGCT器件的功能仿真模型;介绍了建模原理及模型结构。根据5SHY35L4510型IGCT给出的主要参数进行了电路仿真。根据仿真结果,分析了电路中各参数对器件开关瞬态过程电压、电流的影响。

关 键 词:电力半导体器件  逆变器  软件  仿真/集成门极换流晶闸管
文章编号:1000-100X(2006)06-0126-05
收稿时间:2006-05-17
修稿时间:2006-05-17

Functional Model and Application of IGCTs
QIAN Jin,LIU Wen-hua,FAN Zi-chao,SONG Qiang. Functional Model and Application of IGCTs[J]. Power Electronics, 2006, 40(6): 126-130
Authors:QIAN Jin  LIU Wen-hua  FAN Zi-chao  SONG Qiang
Affiliation:Tsinghua University, Beijing 100084, China
Abstract:
Keywords:power semiconductor device  inverter  simulation  functional/IGCT
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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