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| 硅片键合制备超稳高温压力传感器 | |
| 引用本文： | 孙国梁.硅片键合制备超稳高温压力传感器[J].电子器件,1990(2). |
| 作者姓名： | 孙国梁 |
| 摘 要： | 一种可在极宽温区(-40℃至250℃)工作,并重复性和再生产性在全程范围好于±0.1%的高精度压阻式压力传感器研制成功.该芯片的制作基于为硅的微机械加工而开发的硅片键合形成SOI的技术.一可去除的N型硅片中注入P~+电阻图形并以退火处理.采用文献 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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