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基于施密特触发的高鲁棒性亚阈值标准单元
引用本文:张跃军,韩金亮,张会红. 基于施密特触发的高鲁棒性亚阈值标准单元[J]. 电子与信息学报, 2022, 43(6): 1550-1558. DOI: 10.11999/JEIT210001
作者姓名:张跃军  韩金亮  张会红
作者单位:复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海 201210;宁波大学信息科学与工程学院 宁波 315211;宁波大学信息科学与工程学院 宁波 315211
摘    要:亚阈值电路是低功耗重要发展方向之一.随着电源电压降低,晶圆代工厂提供的标准单元电路性能容易受噪声和工艺偏差的影响,已经成为制约亚阈值芯片的瓶颈.该文提出一种基于施密特触发(ST)与反向窄宽度效应(INWE)的亚阈值标准单元设计方案.该方案首先利用ST的迟滞效应与反馈机制,在电路堆叠结点处添加施密特反馈管以优化逻辑门、减少漏电流、增强鲁棒性;然后,采用INWE最小宽度尺寸与分指版图设计方法,提高电路的开关阈值与MOS管的驱动电流;最后,在TSMC?65?nm工艺下构建标准单元的物理库、逻辑库和时序库,完成测试验证.实验结果表明,所设计的亚阈值标准单元与文献相比,功耗降低7.2%~15.6%,噪声容限提升11.5%~15.3%,ISCAS测试电路的平均功耗降低15.8%.

关 键 词:标准单元  低功耗  亚阈值  施密特触发特性

High-Robust Sub-threshold Standard Cells Using Schmitt Trigger
ZHANG Yuejun,HAN Jinliang,ZHANG Huihong. High-Robust Sub-threshold Standard Cells Using Schmitt Trigger[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2022, 43(6): 1550-1558. DOI: 10.11999/JEIT210001
Authors:ZHANG Yuejun  HAN Jinliang  ZHANG Huihong
Abstract:
Keywords:
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