|
|||||
|
|
| FLOTOX型EEPROM存贮管的擦写特性与理论分析 | |
| 引用本文： | 朱钧,靳东明,熊大菁,李志坚.FLOTOX型EEPROM存贮管的擦写特性与理论分析[J].半导体学报,1985,6(5):487-494. |
| 作者姓名： | 朱钧 靳东明 熊大菁 李志坚 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 (朱钧，靳东明，熊大菁)，清华大学微电子学研究所(李志坚) |
| 摘 要： | 制备了几种PLOTOX结构EEPROM存贮管,对其擦写过程作了测试分析.讨论了擦写时存贮管电容分压的物理模型,实验测量通过超薄氧化层的Fowler-Nordheim隧道电流,推导出在擦写过程中浮栅上存贮电荷量的计算公式.研究了存贮管的阈值电压,特别指出它不仅与浮栅上积累电荷有关,而且与测量时的漏电压有关,建立了存贮管阈值电压的计算公式.最后,介绍了实验结果并作讨论,指出有关公式可作为设计EEPROM存贮单元的基础. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |