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喇曼光谱研究硅烷体积分数对Si薄膜结构影响
引用本文:张乾,高杨,张建新,阎殿然,安雪川,张志彬,王师.喇曼光谱研究硅烷体积分数对Si薄膜结构影响[J].半导体技术,2009,34(2).
作者姓名:张乾  高杨  张建新  阎殿然  安雪川  张志彬  王师
作者单位:河北工业大学材料科学与工程学院,天津,300000
摘    要:采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在一定射频功率、衬底温度和气压下,在普通玻璃衬底上制备了不同硅烷体积分数的Si薄膜材料.使用喇曼光谱对薄膜材料的结构进行了研究.结果表明,随着硅烷体积分数的降低,Si薄膜沉积速率将会逐渐降低.当硅烷体积分数降到2%时,喇曼光谱检测到出现对应的晶体Si的吸收峰,而最初的非晶吸收峰位逐渐减弱.Si薄膜的结构实现了由非晶向微晶转变.随着硅烷体积分数进一步降低,结晶率不断提高,微晶比例进一步扩大.

关 键 词:等离子体增强化学气相沉积  硅薄膜  喇曼光谱  玻璃封底  硅烷

Study on the Influence of Silane Volume Fraction on the Structure of Si Thin Films Using Raman Spectra
Zhang Qian,Gao Yang,Zhang Jianxin,Yan Dianran,An Xuechuan,Zhang Zhibin,Wang Shi.Study on the Influence of Silane Volume Fraction on the Structure of Si Thin Films Using Raman Spectra[J].Semiconductor Technology,2009,34(2).
Authors:Zhang Qian  Gao Yang  Zhang Jianxin  Yan Dianran  An Xuechuan  Zhang Zhibin  Wang Shi
Affiliation:School of Material Science & Engineering;Hebei University of Technology;Tianjin 300000;China
Abstract:
Keywords:PECVD  silicon thin film  Raman spectra  glass substrate silane  
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