| 级联型低噪声放大器设计和优化的研究 |
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| 引用本文： | 方磊,陈邦媛. 级联型低噪声放大器设计和优化的研究[J]. 电路与系统学报, 2003, 8(4): 58-62 |
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| 作者姓名： | 方磊 陈邦媛 |
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| 作者单位： | 浙江大学,信息科学与电子工程系,浙江,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 文章详细分析了共源共栅级联型低噪声放大器的优化设计方法。文章首先简要的介绍共源共栅MOSFET低噪声放大器优化设计步骤。在此基础上，通过分析整个级联型低噪声放大器的密勒效应对优化设计的影响，进一步提出了对共栅级MOSFET的沟道宽度优化的必要性。最后，文章以一个工作于2．4GHz，0．5gm工艺的低噪声放大器设计为例，证实了前面理论分析的正确性，并根据低噪声放大器的主要设计指标给出了共源共栅结构下共栅级MOSFET的沟道宽度的优化方法。
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 密勒效应 共源 共栅 共源共栅级联 |
| 文章编号： | 1007-0249(2003)04-0058-05 |
| 修稿时间： | 2003-03-17 |
Research on Design and Optimization of a Cascode LNA |
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| FANG Lei,CHEN Bang-yuan. Research on Design and Optimization of a Cascode LNA[J]. Journal of Circuits and Systems, 2003, 8(4): 58-62 |
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| Authors: | FANG Lei CHEN Bang-yuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LNA Miller effect Common-source Common-gate Cascode |
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