| Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd0.9Zn0.1Te晶体 |
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| 引用本文： | 李国强,谷智,介万奇. Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd0.9Zn0.1Te晶体[J]. 功能材料, 2003, 34(1): 95-97,99 |
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| 作者姓名： | 李国强 谷智 介万奇 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家自然科学基金，59982006，59825109，， |
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| 摘 要： | ![]()
采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为 30mm×130mm的Ccd0.9Zn0.1Te晶锭.测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率.结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法.
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| 关 键 词： | Cd补偿垂直布里奇曼法 Cd0.9Zn0.1Te晶体 EPD 红外透过率 电阻率 晶体生长 |
| 文章编号： | 1001-9731(2003)01-0095-03 |
Growth of Cdo. 9 Zn0.1Te crystals by Cd compensated vertical bridgman method |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te Cd compensated vertical bridgman method EPD IR transmittance resistance |
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