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| 高Tc SIS器件I—V特性的研究 | |
| 引用本文： | 胡渝,冯稷.高Tc SIS器件I—V特性的研究[J].电子科技大学学报（自然科学版）,1989(6). |
| 作者姓名： | 胡渝 冯稷 |
| 作者单位： | 电子科技大学应用物理所 |
| 摘 要： | 本文以超导BCS理论为基础,利用二次量子化方法,并借助于格林函数和松原函数,得到了高Tc SIS器件在有限温度下的I-V特性及其数值计算结果。 |
| 关 键 词： | 超导 高Tc SIS器件 有限温度 I-V特性 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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