| MOFs衍生的Sn掺杂In2O3材料的制备及氯气气敏性能 |
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| 引用本文： | 马江微,翟海潮,张紫薇,胡季帆.MOFs衍生的Sn掺杂In2O3材料的制备及氯气气敏性能[J].材料导报,2023(16):33-38. |
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| 作者姓名： | 马江微 翟海潮 张紫薇 胡季帆 |
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| 作者单位： | 1. 太原科技大学材料科学与工程学院;2. 太原科技大学磁电功能材料及应用山西省重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(62201376)；;山西省高等学校科技创新项目资助(2021L296)； |
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| 摘 要： | 采用简单的水热法制备了Sn掺杂的有机框架化合物(MOFs),再煅烧衍生出Sn掺杂In2O3(Sn-In2O3)气敏材料。表征结果表明，材料的形貌是中空微米棒且材料的比表面积较大、Sn元素成功被掺杂，材料表面的氧空位浓度也较大。气敏测试结果表明，Sn-In2O3中空微米棒材料对低浓度Cl2具有较大的灵敏度，理论最低检测限低至0.37×10-9。通过气敏机理分析，其优良的Cl2气敏性能主要归因于材料的中空结构、大的比表面积和丰富的氧空位，这主要来源于MOFs模板法的制备和Sn元素的掺杂。
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| 关 键 词： | Sn掺杂 氧化铟 氧空位 氯气 气体传感器 |
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