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| φ75mm直拉硅单晶的控氧工艺 | |
| 作者姓名： | 曾世铭 王大平 张鲁 |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院(曾世铭，王大平)，北京有色金属研究总院(张鲁) |
| 摘 要： | 一、前言 一般地说,氧是半导体材料硅中含量最多的杂质,其含量可达10~(18)cm~(-3)数量级。硅中的氧兼有优缺点。优点为“吸除效应”和“钉扎效应”;缺点是单晶的电阻率和寿命会受影响,易出现诱生缺陷,晶片可能变形。优点对器件工艺有利,缺点对器件工艺有害,使晶片质量变坏。 众所周知,不同器件要求不同的氧含量:p型(100),[O]=1.0～1.3×10~(18)cm~(-3),用于MOS;n型(100),[O]=1.3 |
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