| 基于无铝单量子阱的大功率半导体激光器 |
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| 引用本文： | 王玲,李忠辉,徐莉,李辉. 基于无铝单量子阱的大功率半导体激光器[J]. 半导体光电, 2002, 23(6): 391-392. DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.06.007 |
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| 作者姓名： | 王玲 李忠辉 徐莉 李辉 |
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| 作者单位： | 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022 |
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| 摘 要： | 在改进的带有多槽石墨舟的液相外延(LPE)设备上,采用水平快速生长法获得了分别限制单量子阱结构(SCH-SQW),制作了条宽为100μm、腔长为1 mm的激光器,其阈值电流为0.70 A,最高连续输出功率达4 W,斜率效率为1.32 W/A,串联电阻为0.1 Ω,中心波长为808.8 nm.
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| 关 键 词： | 半导体激光器 单量子阱 液相外延 |
| 文章编号： | 1001-5868(2002)06-0391-02 |
| 修稿时间： | 2002-08-14 |
Al-free SQW High-power Semiconductor Lasers |
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| WANG Ling,LI Zhong hui,XU Li,LI Hui. Al-free SQW High-power Semiconductor Lasers[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2002, 23(6): 391-392. DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.06.007 |
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| Authors: | WANG Ling LI Zhong hui XU Li LI Hui |
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| Abstract: | The InGaAsP/GaAs SCH SQW lasers were fabricated by rapid liquid phase epitaxy with proved multiple sliding boat technique. The measured results of the device show that its threshold current is of the order of 0.70 A, with the CW power of 4 W at peak wavelength of 808.8 nm. |
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| Keywords: | semiconductor lasers SQW LPE |
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