| 电子束蒸发制备新型非晶半导体MgSnO薄膜 |
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| 引用本文： | 何海英,偰正才,罗怡韵,夏远凤,牛憨笨.电子束蒸发制备新型非晶半导体MgSnO薄膜[J].光电子技术,2015,35(1). |
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| 作者姓名： | 何海英 偰正才 罗怡韵 夏远凤 牛憨笨 |
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| 作者单位： | 深圳大学 光电工程学院光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室,深圳,518060 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用电子束蒸发镀膜工艺制备一种新型非晶半导体MgSnO薄膜.薄膜在可见光区具有较高的透过率,其平均透过率范围在86.14～92.05％,薄膜的光学带隙随着Mg含量的增加而增大.霍尔效应测试表明MgSnO薄膜为n型半导体,Mg含量可在一定程度上控制薄膜的载流子浓度,MgSnO薄膜的载流子迁移率最高为1.59 cm2V-1s-1.
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| 关 键 词： | MgSnO薄膜 电子束蒸发 电学特性 光学特性 |
Novel Amorphous MgSnO Thin Films Prepared by E-beam Evaporation Technique |
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| HE Haiying,XIE Zhengcai,LUO Yiyun,XIA Yuanfeng,NIU Hanben.Novel Amorphous MgSnO Thin Films Prepared by E-beam Evaporation Technique[J].Optoelectronic Technology,2015,35(1). |
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| Authors: | HE Haiying XIE Zhengcai LUO Yiyun XIA Yuanfeng NIU Hanben |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MgSnO thin film e-beam evaporation electrical property optical property |
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