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一种多模式SRAM单粒子试验系统的设计与实现
引用本文:郑宏超,岳素格,董攀,陈莉明,陈茂鑫.一种多模式SRAM单粒子试验系统的设计与实现[J].微电子学与计算机,2014(9).
作者姓名:郑宏超  岳素格  董攀  陈莉明  陈茂鑫
作者单位:北京微电子技术研究所;
摘    要:提出了一种基于NIOS II的异步SRAM单粒子效应检测系统,用于评估抗辐射加固SRAM电路的抗单粒子效应能力.该检测系统可以对异步SRAM进行四种工作模式下的动态和静态检测,利用该检测系统在重离子加速器上对一款异步SRAM进行了单粒子效应试验,获得了5种离子的试验数据,统计分析后得到了器件的单粒子翻转阈值、单粒子翻转饱和截面和单粒子翻转在轨错误率,并与国外同款电路进行了对比,最后依据试验结果给出了评估结论.

关 键 词:存储器  单粒子翻转  嵌入式系统  可编程逻辑门阵列
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