| 碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量 |
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| 引用本文： | 黄晖, 李亚文, 马庆华, 陈建才, 姬荣斌. 碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量[J]. 红外技术, 2003, 25(6): 42-44,48. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.012 |
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| 作者姓名： | 黄晖 李亚文 马庆华 陈建才 姬荣斌 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所,云南,昆明,650223;昆明物理研究所,云南,昆明,650223;昆明物理研究所,云南,昆明,650223;昆明物理研究所,云南,昆明,650223;昆明物理研究所,云南,昆明,650223 |
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| 摘 要： | 详细说明了用微波反射光电导衰减(μ-PCD)测量碲镉汞材料(MCT)中少数载流子寿命的原理.μ-PCD系统对样品少数载流子寿命的测量范围为20 ns至3 ms,测量温度可以从80 K到325 K变化,整个系统的测量由计算机控制自动进行,可以对样品进行X-Y平面扫描测量并进行结果数据分析.同时,还报道了用μ-PCD技术测量液相外延MCT薄膜材料少数载流子寿命的结果.
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| 关 键 词： | 碲镉汞 微波 光电导衰减 少子寿命 |
| 文章编号： | 1001-8891(2003)06-0042-03 |
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