| 应用于半导体器件的掺杂纳米金刚石膜 |
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| 引用本文： | 苏含,汪建华,熊礼威,刘鹏飞,江川.应用于半导体器件的掺杂纳米金刚石膜[J].武汉工程大学学报,2011,33(10):68-72. |
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| 作者姓名： | 苏含 汪建华 熊礼威 刘鹏飞 江川 |
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| 作者单位： | 1. 武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉,430074
2. 武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉430074;中国科学院等离子体物理研究所,合肥230031 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 金刚石膜有着高的热导率、宽禁带、高的介质击穿场强、高的载流子迁移率等优点,是非常理想的半导体材料.本文介绍了掺杂纳米金刚石薄膜作为半导体器件工作层的优点,综述了金刚石p型掺杂和n型掺杂的研究现状,并对影响纳米金刚石薄膜生长的因素进行了探讨.指出了金刚石膜在半导体器件的应用趋势,并对其应用前景进行展望.
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| 关 键 词： | 纳米金刚石膜 半导体器件 掺杂 |
Semiconductor application of doped nano-crystalline diamond film |
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| Authors: | SU Han WANG Jian-hua XIONG Li-wei LIU Peng-fei JIANG Chuan |
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| Affiliation: | 1 (1.Key Laboratory of Plasma Chemistry and Advanced Materials of Hubei Province,Wuhan Institute of Technology,Wuhan 430074,China;2.Institute of Plasma Physics,Chinese Academy of Sciences,Hefei 230031,China) |
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