等离子体浸没离子注入和沉积技术制备TiN薄膜研究 |
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引用本文: | 冷永祥,孙鸿,徐禄祥,裘叶军,陈俊英,黄楠.等离子体浸没离子注入和沉积技术制备TiN薄膜研究[J].真空科学与技术,2003,23(4):295-298,225. |
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作者姓名: | 冷永祥 孙鸿 徐禄祥 裘叶军 陈俊英 黄楠 |
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作者单位: | 西南交通大学材料学院生物材料及表面工程研究所,四川成都610031 |
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摘 要: | 利用多功能等离子体浸没离子注入设备,采用等离子体浸没离子注入和沉积技术在Ti合金表面制备具有优异力学性能的TiN薄膜。研究了真空室中氮气存在状态及氮气压力对薄膜性能的影响:当氮以中性气体存在于真空室中,薄膜的生长主要受热力学因素控制,沿着低自由能的密排面(低指数面)TiN(111)择优生长;当氮以等离子体状态存在于真空室中,薄膜沿着高指数面TiN(220)择优生长,具有高硬度、耐磨性好的优点,并且随着N分压的提高,薄膜耐磨性提高。
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关 键 词: | 氮化钛 等离子浸没离子注入和沉积硬度 耐磨性 成分 结构 |
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