| 磁存储器驱动电路界面平坦化研究 |
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| 引用本文： | 杜寰,赵玉印,韩郑生,夏洋,张志纯.磁存储器驱动电路界面平坦化研究[J].半导体学报,2006,27(z1):358-360. |
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| 作者姓名： | 杜寰 赵玉印 韩郑生 夏洋 张志纯 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;湘潭大学职业技术学院,机电与电子工程系,湘潭,411105,中国科学院微电子研究所,北京,100029,湘潭大学职业技术学院,机电与电子工程系,湘潭,411105 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对磁存储器(MRAM)驱动电路与存储单元--磁性隧道结(MTJ)的连接界面的表面平坦化进行了研究.原子力显微镜照片表明:磁控溅射沉积的金属铝膜的表面由尺寸约为300nm的颗粒组成,其表面粗糙度约为几十纳米的量级,用统计平均值(均方根值root mean square,RMS)描述约为10nm;在铝膜的表面沉积一层难溶金属Ti或Ta膜以后,可很好地改善过渡层金属表面的平坦化效果.通过用化学机械平坦化设备(chemical mechanical planarization,CMP)在小压力和低转速的条件下,可使过渡层金属表面的RMS值达到小于1nm的平坦化效果.扫描电镜照片的结果也显示:利用光刻胶平坦化,然后通过调节反应离子刻蚀的条件,使刻蚀的过程中对氧化硅和光刻胶的刻蚀速率相等,去掉光刻胶,达到平坦化整个芯片表面的效果.
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| 关 键 词： | 磁存储器 平坦化 表面粗糙度 均方根值 磁存储器 驱动电路 界面平坦化 研究 MRAM Cells Storage Driver Interface 芯片 刻蚀速率 氧化硅 过程 离子刻蚀 调节反应 光刻胶 显示 结果 条件 低转速 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0358-03 |
| 修稿时间： | 2005年10月13日 |
Investigation on Interface Planarization of Driver IC for Storage Cells of MRAM |
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| Du Huan,Zhao Yuyin,Han Zhengsheng,Xia Yang,Zhang Zhichun.Investigation on Interface Planarization of Driver IC for Storage Cells of MRAM[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):358-360. |
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| Authors: | Du Huan Zhao Yuyin Han Zhengsheng Xia Yang Zhang Zhichun |
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