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| GSGSMBE生长 1.84μm波长 InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器 | |
| 作者姓名： | 柏劲松 方祖捷 张云妹 陈高庭 李爱珍 陈建新 |
| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学实验室信息光电子技术研究室!上海201800，中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学实验室信息光电子技术研究室!上海201800，中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学实验室信息光电子技术研究室!上海201800，中国科学院上海光学精 |
| 摘 要： | 报道了 GSMBE方法生长波长 1.84μm的 In Ga As/ In Ga As P/ In P应变量子阱激光器 . 40 μm条宽、 80 0 μm腔长的平面电极条形结构器件 ,室温下以脉冲方式激射 ,2 0℃下阈值电流密度为 3.8k A/ cm2 ,外微分量子效率为9.3% |
| 关 键 词： | GSMBE 中红外波段 应变量子阱激光器 |
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