| 溅射Si/Ge多层膜及其发光誊性研究 |
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| 引用本文： | 陈寒娴,杨瑞东,王茺,邓荣斌,孔令德,杨宇.溅射Si/Ge多层膜及其发光誊性研究[J].功能材料,2008,39(5):730-733. |
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| 作者姓名： | 陈寒娴 杨瑞东 王茺 邓荣斌 孔令德 杨宇 |
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| 作者单位： | 1. 云南大学,工程技术研究院红外光电信息薄膜研究中心,云南,昆明,650091
2. 红河学院,物理系,云南,蒙自,661100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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云南大学学术骨干培养基金支持的资助项目 |
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| 摘 要： | 采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品.利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光(PL)对样品进行表征.结果表明,2.0～2.3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的;1.77～1.84eV之间的发光带来自薄膜中的非晶结构和晶粒间的缺陷;1.53eV发光峰则可能源于纳米Ge晶粒发光.
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| 关 键 词： | Si/Ge多层膜 可见光致发光 离子束溅射 |
| 文章编号： | 1001-9731(2008)05-0730-03 |
| 修稿时间： | 2007年10月26 |
Photoluminescence of Si/Ge multilayer films deposited by ion-beam sputtering |
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| CHEN Han-xian,YANG Rui-dong,WANG Chong,DENG Rong-bin,KONG Ling-de,YANG Yu.Photoluminescence of Si/Ge multilayer films deposited by ion-beam sputtering[J].Journal of Functional Materials,2008,39(5):730-733. |
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| Authors: | CHEN Han-xian YANG Rui-dong WANG Chong DENG Rong-bin KONG Ling-de YANG Yu |
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