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| 1.55微米mInGaAsP低阈值掩埋新月型注入激光器 | |
| 引用本文： | 邸建华.1.55微米mInGaAsP低阈值掩埋新月型注入激光器[J].液晶与显示,1986(4). |
| 作者姓名： | 邸建华 |
| 摘 要： | 在沟道衬底上用两步 LPE(液相外延)生长可以制造1.3μm 和1.55μm 的低阈值电流注入激光器。在1.3μmBC(掩埋新月型)激光器中控制掺杂浓度可以降低 InGaAsP激光器的分路漏电流,并给出低阈值电流,良好的光——电流线性、高工作温度和长寿命。本文报告了1.55μmInGaAsPBC 激光器性能的显著进展。1.55μm BC 激光器是早期1.3μm BC 激光器结构的改进型,它的性 |
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