| 具有复合埋层的新型SIMON材料的制备 |
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| 引用本文： | 易万兵,陈猛,张恩霞,刘相华,陈静,董业民,金波,刘忠立,王曦.具有复合埋层的新型SIMON材料的制备[J].半导体学报,2004,25(7):814-818. |
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| 作者姓名： | 易万兵 陈猛 张恩霞 刘相华 陈静 董业民 金波 刘忠立 王曦 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室，中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室，中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室，香港中文大学电子工程系，中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室，中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室，中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室，中国科学院半导体研究所，中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室 上海200050，上海200050上海新傲科技有限公司，上海201821，上海200050，香港，上海200050，上海200050，上海200050，北京10008，上海200050海新傲科技有限公司，上海201821 |
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| 摘 要： | 采用氮氧共注入方法制备了新型的 SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen) SOI材料 .采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析 ,发现 SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感 .并对各种氮氧复合注入技术做了分析和比较 ,发现氮氧分次注入可以得到更好的结构和性能
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| 关 键 词： | SIMON SOI 氮氧共注入 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)07-0814-05 |
| 修稿时间： | 2003年7月6日 |
Comparison of Fabrication Techniques of SIMON Materials with Buried Multi-Layers |
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| Yi Wanbing ,Chen Meng ,Zhang Enxia ,Liu Xianghua ,Chen Jing ,Dong Yemin ,Jin Bo ,Liu Zhongli and Wang Xi.Comparison of Fabrication Techniques of SIMON Materials with Buried Multi-Layers[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(7):814-818. |
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| Authors: | Yi Wanbing Chen Meng Zhang Enxia Liu Xianghua Chen Jing Dong Yemin Jin Bo Liu Zhongli and Wang Xi |
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| Affiliation: | Yi Wanbing 1,Chen Meng 1,2,Zhang Enxia 1,Liu Xianghua 3,Chen Jing 1,Dong Yemin 1,Jin Bo 1,Liu Zhongli 4 and Wang Xi 1,2 |
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| Abstract: | SIMON SOI materials are successfully fabricated by sequential implantation and annealing of oxygen and nitrogen ions with quite a few combinatorial dose energy sequence conditions.The results indicate that superior SIMON SOI wafers with highly sharp interface structure can be fabricated by choosing dose energy implantation conditions and implantation sequence carefully.Different fabrication methods are compared. |
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| Keywords: | SIMON SOI co implantation of nitrogen and oxygen |
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