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微细条形NiFe薄膜元件在磁化和反磁化过程中磁畴结构的变迁过程
引用本文:余晋岳,朱军,周狄,钱建国,蔡炳初,赵小林.微细条形NiFe薄膜元件在磁化和反磁化过程中磁畴结构的变迁过程[J].功能材料,2000,31(5):481-483.
作者姓名:余晋岳  朱军  周狄  钱建国  蔡炳初  赵小林
作者单位:上海交通大学信息存储研究中心,国家教委薄膜与微细技术开放研究实验室,上海,200030
摘    要:详细观察了长条形NiFe薄膜元件(宽120μm,厚40nm)沿难轴方向(长方向)磁化和反磁化过程中磁畴结构变迁的全过程。观察表明,在磁化过程中,磁化转动和不可逆畴壁位移同时存在;在反磁化过程中,畴壁合并、封闭畴转变和畴壁极性转变是最主要的不可逆因素,也是造成元件输出讯号中Barkhausen噪声的主要物理根源。

关 键 词:磁性簿膜元件  磁件  反磁化  磁畴结构
文章编号:1001-9731(2000)05-0481-03
修稿时间:1999-07-12

The Transition Process of Magnetic Domain Structures During Magnetization and Magnetization Reversal in Small NiFe Thin Film Stripe
YU Jinyue,ZHU Jun,ZHOU Di,QIAN Jianguo,CAI Bingchu,ZHAO Xiaolin.The Transition Process of Magnetic Domain Structures During Magnetization and Magnetization Reversal in Small NiFe Thin Film Stripe[J].Journal of Functional Materials,2000,31(5):481-483.
Authors:YU Jinyue  ZHU Jun  ZHOU Di  QIAN Jianguo  CAI Bingchu  ZHAO Xiaolin
Affiliation:YU Jinyue ,ZHU Jun ,ZHOU Di ,QIAN Jianguo ,CAI Bingchu ,ZHAO Xiaolin (Information Storage Research Center,Shanghai Jiaotong University,Shanghai,200030,China)
Abstract:
Keywords:magneticthinfilmstripe  magnetization  magnetizationreversal  magneticdomainstructure
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