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| LSI展示下一代0.25微米CMOS工艺 | |
| 作者姓名： | 王清华 |
| 摘 要： | LSI公司近期在纽约召开的Goldman Sachs & Co.技术会议上向分析家们提前展示了其将于1998年推出的下一代CMOS工艺G11。它采用0.25微米单元结构,具有混合采用性能优化单元和面积优化单元的能力,并且采用层次化的金属布线结构以适应下一代的综合工具,因此这套工艺具有一些特别优秀的内在特 |
| 关 键 词： | CMOS工艺 LSI 集成电路 制造 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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