| 1996年IEEE GaAs IC国际会议简介 |
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| 引用本文： | 陈堂胜. 1996年IEEE GaAs IC国际会议简介[J]. 固体电子学研究与进展, 1997, 17(2): 202-206 |
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| 作者姓名： | 陈堂胜 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所!210016 |
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| 摘 要： | ![]()
1996年IEEEGaAsIC学术会议于11月3日至6日在美国佛罗里达州奥兰多召开。来自世界各地的约400位代表参加了会议，本届年会的侧重点主要是无线通信（WirelessCommu－nication）、光通信（OPticalCommunication）和高速数字电路，本届年会还有一个很重要的主题就是单片电路在通信系统中的应用，这些分别由MESFET、JFET、HEMT或HBT实现的单片电路几乎涉及所有的应用领域和频率范围。会议共收到论文151篇，其中有61篇被录用，另外还有12篇特邀报告和两篇最新进展报告，一个上午的全体会议和12个专题讨论会分别介绍了这些研究成果，下…
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| 关 键 词： | IEEE 砷化镓 IC 国际会议 |
A Brief Introductio to the 1996 IEEE GaAs IC Symposium |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | |
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