| SO1-Gel法硅基PZT铁电薄膜研究 |
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| 引用本文： | 张林涛,任天令,张武全,刘理天,李志坚. SO1-Gel法硅基PZT铁电薄膜研究[J]. 功能材料, 2001, 32(3): 252-253 |
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| 作者姓名： | 张林涛 任天令 张武全 刘理天 李志坚 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子所,;清华大学,微电子所,;清华大学,微电子所,;清华大学,微电子所,;清华大学,微电子所, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(69806007) |
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| 摘 要： | 介绍了以硝酸锆、醋本以铅和钛酸四丁酯为原料用溶胶－凝胶（sol-gel）方法在硅衬底上制备Pb（Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电膜的工艺流程。对铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质进行了分析,结果表明硅基PZT薄膜形成了良好的钙伏矿结构,并在此基础上实现了制备PZT铁电薄膜的低温改进工艺。
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| 关 键 词： | sol-gel法 PZT 铁电薄膜 |
| 文章编号： | 1001-9731(2001)03-0252-02 |
| 修稿时间： | 2000-02-14 |
Study of silicon-based ferroelectric PZT thin films fabricated by sol-gel method |
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| ZHANG Lin-tao,REN Tian-ling,ZHANG Wu-quan,LIU Li-tian,LI Zhi-jian. Study of silicon-based ferroelectric PZT thin films fabricated by sol-gel method[J]. Journal of Functional Materials, 2001, 32(3): 252-253 |
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| Authors: | ZHANG Lin-tao REN Tian-ling ZHANG Wu-quan LIU Li-tian LI Zhi-jian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | sol-gel method PZT ferroelectric thin film |
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