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85 MeV19F离子辐照InP正电子湮没研究
引用本文:王荣,徐勇军,黄龙,朱升云.85 MeV19F离子辐照InP正电子湮没研究[J].原子能科学技术,2000,34(3):259-261.
作者姓名:王荣  徐勇军  黄龙  朱升云
作者单位:中国原子能科学研究院,核物理研究所,北京,102413
基金项目:国家自然科学基金资助项目! (1 9835 0 5 0 ),国防科技预研跨行业基金资助项目!(97J1 1 2 8HZ0 1 0 )
摘    要:用正电子湮没寿命技术研究了注量为1.6*10^16CM^-2R 85MeV^19F离子辐照InP产生的辐照效应。实验表明辐照在InP中产生单空位型缺陷。

关 键 词:^19F离子  辐照效应  正电子湮没  磷化铟  缺陷

Positron Annihilation Study on Radiation Effect in InP Irradiated by 85 MeV 19F Ion
WANG Rong,XU Yong-jun,HUANG Long,ZHU Sheng-yun.Positron Annihilation Study on Radiation Effect in InP Irradiated by 85 MeV 19F Ion[J].Atomic Energy Science and Technology,2000,34(3):259-261.
Authors:WANG Rong  XU Yong-jun  HUANG Long  ZHU Sheng-yun
Abstract:
Keywords:InP  19  F ions  radiation effect  positron annihilation
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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