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铋层状结构无铅压电材料的改性
引用本文:郝华,马麟,罗大兵,刘韩星. 铋层状结构无铅压电材料的改性[J]. 佛山陶瓷, 2004, 14(4): 32-34
作者姓名:郝华  马麟  罗大兵  刘韩星
作者单位:武汉理工大学材料学院硅酸盐教育部重点实验室,430070;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,430070
摘    要:本文介绍了铋层状结构无铅压电材料的研究现状及存在的问题。铋层状结构无铅压电材料居里温度较高,可以用于高温压电方面的应用,但其压电性能较差。本文重点介绍了提高铋层状结构无铅压电材料压电性能的措施——晶粒定向生长和掺杂。

关 键 词:铋层状结构压电材料  无铅压电  晶粒定向生长

Improvement of Bismuth Layer Structure Lead-free Piezoelectric Material
Hao Hua Ma Lin Luo Dabing Liu Hanxing. Improvement of Bismuth Layer Structure Lead-free Piezoelectric Material[J]. Foshan Ceramics, 2004, 14(4): 32-34
Authors:Hao Hua Ma Lin Luo Dabing Liu Hanxing
Affiliation:Hao Hua1 Ma Lin1 Luo Dabing2 Liu Hanxing2
Abstract:This paper introduces the present situation and existing problems of bismuth layer structure lead-free piezoelectric material,the curie temperatures of which are very high,so they can be used in high temperature piezoelectric application.But their piezoelectric property is poor.Several processings,grain orientation growth (TGG) and doping,which can improve performance of the bismuth layer structure lead-free piezoelectric material,are introduced.
Keywords:bismuth layer structure piezoelectric material  lead-free  grain orientation growth
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