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AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展
引用本文:王敬蕊,叶志镇,赵炳辉,朱丽萍,唐海平. AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展[J]. 真空科学与技术学报, 2006, 26(4): 308-312
作者姓名:王敬蕊  叶志镇  赵炳辉  朱丽萍  唐海平
作者单位:浙江大学硅材料重点实验室,杭州,310027
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划);教育部留学回国人员科研启动基金;浙江省自然科学基金
摘    要:
AlN作为中间层可以有效提高硅基GaN的晶体质量。本文对于AlN作为形核层和插入层提高GaN晶体质量的机理进行分析和总结,并给出AlN的最佳生长条件。

关 键 词:Si基GaN  综述  应力  位错
文章编号:1672-7126(2006)04-0308-05
收稿时间:2005-12-13
修稿时间:2005-12-13

Influence of AIN Buffer Layer on GaN Film Growth on Si(111) Substrates
Wang Jingrui,Ye Zhizhen,Zhao Binghui,Zhu Liping,Tang Haiping. Influence of AIN Buffer Layer on GaN Film Growth on Si(111) Substrates[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2006, 26(4): 308-312
Authors:Wang Jingrui  Ye Zhizhen  Zhao Binghui  Zhu Liping  Tang Haiping
Affiliation:State Key Lab of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou, 3100271, China
Abstract:
Mechanisms responsible for GaN film growth on Si(111) substrate covered with AlN buffer layers were tentatively reviewed,and the optimized GaN film growth conditions were discussed.
Keywords:AlN
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