单管MOS存贮单元的存贮阵列和读出-再生电路

简介——破坏读出单管MOS存贮单元的读数信号随单元面积减小而减小。要达到必要小的单元面积,必需具有大的特殊电容的器件作为存贮电容器,还需要灵敏的再生放大器和补偿噪音的阵列。 对于用硅栅工艺的单元布局设计,存贮电容器建议采用电场感应的非平衡反型层作为一个电极。 提出一个门控触发器作为一个灵敏的再生放大器,它的两个输入结点各连接一条位线。这样得到的对称阵列不但是高度灵敏的(输入电压差的不可辨区大约定晶体管阀值电压的0.3)和与制造工艺参数不相关的,而且容许在触发器的每边用一条假的字线(带有假的存贮单元)进行噪音补偿。 不同的单元和再生电路已经用硅栅工艺实现。面积为1600微米~2(2.6密耳)~2的存贮单元已经成功地进行工作,读/写周期时间为350毫微秒(存贮电容为0.134微微法,每条位线64个单元或每个放大器128个单元的位线电容为0.32微微法)。