| 纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池 |
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| 引用本文： | 胡志华,廖显伯,刁宏伟,曾湘波,徐艳月,孔光临.纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池[J].太阳能学报,2005,26(2):187-191. |
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| 作者姓名： | 胡志华 廖显伯 刁宏伟 曾湘波 徐艳月 孔光临 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083;云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 中国科学院青藏高原综合观测研究站、中国科学院寒区旱区环境与工程研究所创新项目(KZ2003111);国家重点基础研究发展规化项目(G1998040800) |
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| 摘 要： | 该文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下，用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si：H)薄膜，并将其用作pin太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计，在p／i，i/n界面插入渐变带隙缓冲层，制备出了glass／ITO／p—a-SiC：H／i—na-Si：H／n—nc-Si：H／Al结构的pin太阳电池。电池初始开路电压(Voc)高达0．94V，同时还能保证0．72的填充因子(FF)。光电转换效率(Eff)达到8．35％(AM1．5，100mW／cm^2)。
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| 关 键 词： | 纳米非晶硅 pin薄膜太阳电池 开路电压 PECVD |
| 文章编号： | 0254-0096(2005)02-0187-05 |
HYDROGENATED NANOMORPH SILICON p- i- n SOLAR CELLS |
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| Hu Zhihu,LIAO Xianbo,DIAO Hongwei,ZENG Xiangbo,XU Yanyue,KONG Guanglin.HYDROGENATED NANOMORPH SILICON p- i- n SOLAR CELLS[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2005,26(2):187-191. |
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| Authors: | Hu Zhihu LIAO Xianbo DIAO Hongwei ZENG Xiangbo XU Yanyue KONG Guanglin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nanomorph silicon pin thin film solar cells open circuit voltage PECVD |
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