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一种高性能宽带直接变频射频前端设计
引用本文:苏浩,郭东君,张楠,石春琦,张润曦.一种高性能宽带直接变频射频前端设计[J].微电子学,2014(5):661-665.
作者姓名:苏浩  郭东君  张楠  石春琦  张润曦
作者单位:华东师范大学 微电子电路与系统研究所, 上海 200062;华东师范大学 微电子电路与系统研究所, 上海 200062;华东师范大学 微电子电路与系统研究所, 上海 200062;华东师范大学 微电子电路与系统研究所, 上海 200062;华东师范大学 微电子电路与系统研究所, 上海 200062
基金项目:华东师大科技创业基金会(78210082)
摘    要:提出一种宽带(250 MHz~4.7 GHz)无电感BiCMOS射频前端结构,包含低噪声跨导放大器(LNTA)、带电阻无源混频器和跨阻级。低噪声跨导放大器使用了噪声和线性度消除技术,例如输入交叉耦合结构、互补输入和电流复用技术。带电阻无源混频器采用退化电阻来提高线性度。仿真结果表明, 当电源电压为3.3 V时,总电流为9.38 mA, 噪声系数为9.8 dB(SSB),电压转换增益为20 dB,输入3阶交调为+11.8 dBm。

关 键 词:低噪声跨导放大器    无源混频器    宽带    噪声消除    非线性消除
收稿时间:2013/7/25 0:00:00

A High Performance Broadband Direct Conversion Front-End
SU Hao,GUO Dongjun,ZHANG Nan,SHI Chunqi and ZHANG Runxi.A High Performance Broadband Direct Conversion Front-End[J].Microelectronics,2014(5):661-665.
Authors:SU Hao  GUO Dongjun  ZHANG Nan  SHI Chunqi and ZHANG Runxi
Affiliation:Institute of Microelectronics Circuit & System, East China Normal University, Shanghai 200062, P. R. China;Institute of Microelectronics Circuit & System, East China Normal University, Shanghai 200062, P. R. China;Institute of Microelectronics Circuit & System, East China Normal University, Shanghai 200062, P. R. China;Institute of Microelectronics Circuit & System, East China Normal University, Shanghai 200062, P. R. China;Institute of Microelectronics Circuit & System, East China Normal University, Shanghai 200062, P. R. China
Abstract:A broadband (250 MHz~4.7 GHz) inductorless BiCMOS front-end with a low noise transconductance amplifier (LNTA), a resistively degenerated passive mixer and a transimpedance stage were presented. The LNTA utilized noise and distortion cancellation, such as input cross-coupling and current reuse complementary input. A resistively degenerated passive mixer was used to improve the linearity (IIP2 and IIP3). The simulated results showed 9.8 dB single-sideband (SSB) NF, 20 dB voltage conversion gain, +11.8 dBm IIP3, while consuming 9.38 mA from 3.3 V supply.
Keywords:
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