| HBT电压控制振荡器的相位噪声 |
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| 引用本文： | 廖小平 顾世惠. HBT电压控制振荡器的相位噪声[J]. 固体电子学研究与进展, 1999, 19(3): 260-265 |
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| 作者姓名： | 廖小平 顾世惠 |
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| 作者单位： | [1]东南大学微电子中心 [2]南京电子器件研究所 |
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| 摘 要： | 研究了电压控制振荡器（ＶＣＯ）的相位噪声与构成该振荡器的有源器件的低频噪声的关系，测试了ＳｉＢＪＴ、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ和ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的低频噪声，并分析了各自低频噪声产生的原因，提出了选择ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ ＶＣＯ来实现微波固体振荡器低相位噪声化这一发展方向。
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| 关 键 词： | 电压控制振荡器 相位噪声 低频噪声 镓铟磷-砷化镓异质结双极型晶体管 |
Phase Noise in the HBT Voltage controlled Oscillator |
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| Abstract: | We study the relations between phase noise in a voltage controlled oscillator(VCO) and low frequency noise in the active device of which the VCO is made,measure the low frequency noises in Si BJT,AlGaAs/GaAs HBT and GaInP/GaAs HBT respectively,and explain the reasons for existence of the low frequency noises.We conclude that GaInP/GaAs HBT VCO is a good choice to get lower phase noise in the microwave solid oscillator. |
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| Keywords: | Voltage controlled Oscillator (VCO) Phase Noise Low Frequency Noise GaInP/GaAs HBT |
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