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| 一种新的部分耗尽SOI器件BTS结构 | |
| 作者姓名： | 李瑞贞 韩郑生 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
| 摘 要： | 提出了一种新的部分耗尽SOI体接触技术,与其它体接触技术相比,该方法可以有效抑制SOI器件的浮体效应。形成多晶硅栅之前在源区进行大剂量P＋杂质注入,然后形成非对称源区浅结结构。然后生长硅化物电极,厚的硅化物穿透源区浅结与下面高浓度的体区形成欧姆接触。二维器件模拟表明该结构可以有效降低强反型区体区电势,从而抑制了浮体效应。 |
| 关 键 词： | SOI 浮体效应 体接触 |
| 文章编号： | 1005-9490（2005）04-0730-03 |
| 收稿时间： | 2005-04-14 |
| 修稿时间： | 2005-04-14 |
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