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| PSII法制备DLC膜的纳米摩擦性能研究 | |
| 引用本文： | 李新,唐桢安,徐军,鲍海飞.PSII法制备DLC膜的纳米摩擦性能研究[J].真空,2007,44(5):29-31. |
| 作者姓名： | 李新 唐桢安 徐军 鲍海飞 |
| 作者单位： | 1. 沈阳工业大学,辽宁,沈阳,110023;大连理工大学,辽宁,大连,116024 2. 大连理工大学,辽宁,大连,116024 3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
| 摘 要： | 微机电系统（MEMS）的研究引起了人们的极大关注,摩擦行为是影响MEMS性能的关键因素之一.本文采用等离子源离子注入（PSII）技术在硅衬底上制备薄膜,利用Raman光谱表征制备薄膜的类金刚石特性.详细介绍了采用原子力显微镜（AFM）进行纳米摩擦实验的原理,并利用其研究制得DLC膜的纳米摩擦特性.研究结果表明,制得DLC膜的摩擦系数较小,具有耐磨损性能,而且反应气体流量对薄膜的纳米摩擦特性有较大影响.PSII技术制备的DLC膜具有较好的纳米摩擦特性,并有望使可动MEMS的摩擦问题得到真正意义上的突破. |
| 关 键 词： | 类金刚石膜 原子力显微镜 纳米摩擦 等离子源离子注入 |
| 文章编号： | 1002-0322（2007）05-0029-03 |
| 修稿时间： | 2006-11-10 |
On the nanotribology of DLC thin films prepared by PSII |
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| LI Xin,TANG Zhen-an,XU Jun,BAO Hai-fei.On the nanotribology of DLC thin films prepared by PSII[J].Vacuum,2007,44(5):29-31. | |
| Authors: | LI Xin TANG Zhen-an XU Jun BAO Hai-fei |
| Affiliation: | 1. Shenyang University of Technology, Shenyang 110023,China; 2. Dalian University of Technology, Dalian 116024, China ; 3. Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050 ,China |
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