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| 淬火致内应力对聚羟基丁酸戊酸酯薄膜结晶行为影响EI北大核心CSCD | |
| 引用本文： | 杜庆华,杨建,明亮,顾群.淬火致内应力对聚羟基丁酸戊酸酯薄膜结晶行为影响EI北大核心CSCD[J].高分子材料科学与工程,2018(4):99-103. |
| 作者姓名： | 杜庆华 杨建 明亮 顾群 |
| 作者单位： | 1.解放军医学院100853;2.宁波工程学院材料与化学工程学院315211; |
| 摘 要： | 通过对聚羟基丁酸戊酸酯(PHBV)薄膜进行低温淬火使薄膜形成不均匀内应力场,研究淬火致内应力对薄膜结晶行为的影响。用偏光显微镜对淬火样品结晶行为的研究结果表明,PHBV在90℃等温结晶形成环带球晶,但经低温淬火后再在90℃等温结晶却能形成取向结晶结构:当淬火温度(Tq)为-196℃时,形成横晶;当Tq为-80℃时,形成2种不同成核密度结晶结构;而Tq高于-20℃,只形成球晶。对横晶结构进行扫描电镜和X射线衍射表征,结果都显示片晶垂直于薄膜表面生长,表明结晶时分子链与薄膜平行,也进一步说明内应力是形成横晶结构的主要因素。 |
| 关 键 词： | 聚羟基丁酸戊酸酯 内应力 结晶 |
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