通孔内镀金工艺研究 |
| |
引用本文: | 刘相伍,王川宝,崔玉兴,付兴昌.通孔内镀金工艺研究[J].半导体技术,2014,39(6):438-441. |
| |
作者姓名: | 刘相伍 王川宝 崔玉兴 付兴昌 |
| |
作者单位: | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 |
| |
摘 要: | 针对化合物半导体芯片通孔内镀金层薄导致通孔接地电阻大的问题,优化了喷液电镀台和挂镀电镀台的通孔镀金工艺条件,研究了两者在电镀过程中的镀液流场的差异,分析了两种电镀方式的工艺结果有显著差异的原因。喷液电镀台最佳工艺条件:直流电镀,电流积为15 A·min,电流密度为0.4 A/dm2,镀液体积流量为20 L/min时,对深宽比约为2∶1的通孔样品进行电镀,得到孔内外镀层厚度比接近1∶1的良好电镀效果。实验结果表明:喷液电镀台在晶圆通孔电镀方面有较大优势,可在不增加背面镀金厚度的情况下增加通孔内镀层厚度,不仅解决了芯片通孔内镀金层薄的问题,而且有利于降低成本,是今后通孔电镀工艺发展的方向之一。
|
关 键 词: | 大功率芯片 通孔 背面镀金 喷液电镀 通孔电阻 |
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录! |
|