CsI:Tl晶体生长中存在的问题及其解决途径 |
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引用本文: | 韩建儒,王卓.CsI:Tl晶体生长中存在的问题及其解决途径[J].硅酸盐学报,1997,25(6):743-745,F003. |
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作者姓名: | 韩建儒 王卓 |
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作者单位: | 山东大学晶体材料研究所 |
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摘 要: | 用Bridgman方法制备了掺铊的碘化铯晶体,样品经过切割,研磨和抛光,观察了它们的缺限,测定其光学性质,结果表明,气泡,包裹体和局部开裂严重地影响晶体的光学质量和完整性,通过使用高纯试剂,惰性气氛生长,分段和均匀掺杂,窄的熔区和合适的温度梯度,能够明业改善晶体的性质和质量。
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关 键 词: | 掺铊 碘化铯晶体 缺陷 质量 闪烁材料 晶体生长 |
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