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CsI:Tl晶体生长中存在的问题及其解决途径
引用本文:韩建儒,王卓.CsI:Tl晶体生长中存在的问题及其解决途径[J].硅酸盐学报,1997,25(6):743-745,F003.
作者姓名:韩建儒  王卓
作者单位:山东大学晶体材料研究所
摘    要:用Bridgman方法制备了掺铊的碘化铯晶体,样品经过切割,研磨和抛光,观察了它们的缺限,测定其光学性质,结果表明,气泡,包裹体和局部开裂严重地影响晶体的光学质量和完整性,通过使用高纯试剂,惰性气氛生长,分段和均匀掺杂,窄的熔区和合适的温度梯度,能够明业改善晶体的性质和质量。

关 键 词:掺铊  碘化铯晶体  缺陷  质量  闪烁材料  晶体生长
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