| 铁电场效应晶体管 |
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| 引用本文： | 王华,于军,周文利,王耘波,谢基凡,周东祥,朱丽丽.铁电场效应晶体管[J].电子元件与材料,2000,19(2):19-21. |
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| 作者姓名： | 王华 于军 周文利 王耘波 谢基凡 周东祥 朱丽丽 |
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| 作者单位： | 1. 华中理工大学电子科学与技术系,湖北武汉,430074;桂林电子工业学院电子信息分院,广西桂林,541000
2. 华中理工大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 !(69771 0 2 4 ) |
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| 摘 要： | 介绍了铁电场效应晶体管 (FFET)的基本结构、存储机制、制作方法 ,综述其结构设计的改进、铁电薄膜在 FFET中应用的进展情况 ,探讨围绕铁电薄膜材料、过渡层、结构设计、不同成膜方法及工艺对 FFET存储特性的影响 ,对 FFET的研究现状和存在的一些问题进行评述
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| 关 键 词： | 铁电薄膜 铁电场效应晶体管 存储特性 |
The Ferroelectric Field Effect Transistor |
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| WANG Hua,YU Jun,ZHOU Wen-li,WANG Yun-bo,XIE Ji-fan,ZHOU Dong-xiang,ZHU Li-li.The Ferroelectric Field Effect Transistor[J].Electronic Components & Materials,2000,19(2):19-21. |
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| Authors: | WANG Hua YU Jun ZHOU Wen-li WANG Yun-bo XIE Ji-fan ZHOU Dong-xiang ZHU Li-li |
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| Affiliation: | WANG Hua 1,2,YU Jun 1,ZHOU Wen li 1,WANG Yun bo 1,XIE Ji fan 1,ZHOU Dong xiang 1,ZHU Li li 1 |
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| Abstract: | ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS (China), Vol 19, No 2, P 19 21 (Apr 2000) In Chinese The structure, memory principle and manufacture technology of ferroelectric field effect transistors (FFET) are presented The improvement of FFET structure design and the application of ferroelectric film on FFET are reviewed The effects of ferroelectric film, transition layer, structure and film formation technology on the memory characteristic are discussed The comments on present study on FFET and the exiting problems are also given (19 refs ) |
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| Keywords: | ferroelectric thin film ferroelectric field effect transistors memory characteristic |
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