| Ⅱ一Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展 |
| |
| 引用本文： | 王醉,马锡英,宋经纬,陈中平,杨爱国,姚江宏.Ⅱ一Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展[J].微纳电子技术,2009,46(7). |
| |
| 作者姓名： | 王醉 马锡英 宋经纬 陈中平 杨爱国 姚江宏 |
| |
| 作者单位： | 1. 南开大学物理科学与技术学院,天津,300071;绍兴文理学院光电材料研究所,浙江,绍兴,312000
2. 绍兴文理学院光电材料研究所,浙江,绍兴,312000
3. 南开大学物理科学与技术学院,天津,300071 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，浙江省新苗计划项目 |
| |
| 摘 要： | 介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在的问题.引进新型掺杂理论--动力学理论,该模型忽略了扩散作用的影响,重点讨论杂质在纳米晶体表面的驻留情况,可以有效解释Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的掺杂机理,提高掺杂浓度.最后,对其未来的发展方向进行了展望,指出开创新型掺杂理论、研发实用化掺杂工艺以及拓展应用领域是未来Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的主要研究方向.
|
| 关 键 词： | 半导体纳米晶体 掺杂 光电特性 胶体法 掺杂机制 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
