| 利用MOVPE选区外延生长InGaAsP |
| |
| 引用本文： | 邱伟彬,董杰,王圩,周帆. 利用MOVPE选区外延生长InGaAsP[J]. 半导体学报, 2003, 24(4): 342-346 |
| |
| 作者姓名： | 邱伟彬 董杰 王圩 周帆 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心 北京100083(邱伟彬，董杰，王圩)，中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心 北京100083(周帆) |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :90 10 10 2 3 )~~ |
| |
| 摘 要： | ![]()
研究了利用低压 MOVPE宽条 (15μm )选区外延生长 In Ga As P的性质 .研究了生长速率、厚度增强因子、带隙调制、组分调制随着生长条件如掩模宽度、生长压力、 族源流量的变化规律 ,给出了合理的解释 .同时研究了不同 / 比下选择性生长 In Ga As P表面尖角的性质.
|
| 关 键 词： | 选区外延 MOVPE InGaAsP 表面尖角 /比 |
Selective Area Growth InGaAsP by MOVPE |
| |
| Qiu Weibin,Dong Jie,Wang Wei,Zhou Fan. Selective Area Growth InGaAsP by MOVPE[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(4): 342-346 |
| |
| Authors: | Qiu Weibin Dong Jie Wang Wei Zhou Fan |
| |
| Abstract: | ![]()
|
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
