| Zn1/3Nb2/3含量对xPMnS-(1-x)PZN性能的影响 |
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| 引用本文： | 周静,赵然,孙华君,陈文.Zn1/3Nb2/3含量对xPMnS-(1-x)PZN性能的影响[J].武汉理工大学学报,2005,27(11):1-3. |
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| 作者姓名： | 周静 赵然 孙华君 陈文 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学材料科学与工程学院,武汉,430070 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(50375114). |
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| 摘 要： | 以xPMnS-（1-x）PZN 四元系压电陶瓷为研究对象,通过研究Zn1/3Nb2/3含量的变化对0.5PMnS-0.5aPZN材料结构与性能的影响,获得具有高压电活性的0.5PMnS-0.5aPZN陶瓷材料.结果表明,四方相结构的0.5PMnS-0.5aPZN材料压电活性优于三方相结构,性能最好的组成位于MPB（四方相边界）附近靠近四方相含量较高的区域,组成Zn1/3Nb2/3含量的变化影响了MPB的位置.
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| 关 键 词： | xPMnS-（1-x）PZN陶瓷 准同型相区间 Zn1/3Nb2/3 性能 |
| 文章编号： | 1671-4431(2005)11-0001-03 |
| 修稿时间： | 2005年6月9日 |
Effects of Zn1/3Nb2/3 Content on the Piezoelectric of xPMnS-(1-x)PZN Ceramics |
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| ZHOU Jing,ZHAO Ran,SUN Hua-jun,CHEN Wen.Effects of Zn1/3Nb2/3 Content on the Piezoelectric of xPMnS-(1-x)PZN Ceramics[J].Journal of Wuhan University of Technology,2005,27(11):1-3. |
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| Authors: | ZHOU Jing ZHAO Ran SUN Hua-jun CHEN Wen |
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